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    UnitedSiC宣布推出用于低功率 AC-DC反激式转换器的SiC JFET系列

    2019-03-20 07:02:00 来源:EEFOCUS
    标签:

    2019年3月19日,美国加州Anaheim应用电源电子会议(APEC),美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET控制器IC共同封装的SiC JFET晶片,由此可制造出速度极快,基于共源共栅的20~100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650~1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功?#27169;?#26159;大型反激式AC-DC应用市场的理想选择,其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。

     

    控制器IC制造商可受益于较小的晶片尺寸,并具有极低RDS(ON)和电容。常导通型JFET在与控制器IC中集成的低Qg低压MOSFET配合使用时,有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。

     

    SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具有非常?#30475;?#30340;能力,使SiC共源共栅在实用中非常稳健。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串联连接,常导通型JFET的源极电压在JFET关?#29616;吧?#33267;12V,IC开始切换。经过JFET的电流路径可以用作控制器IC的启动电?#30784;?#22312;转换器开始工作后,来自转换器变压器的辅助电源被门控(gated-in),没有进一步的功率损耗。

     

    典型的低功率反激式应用包括?#22987;?#26412;电脑和移动设备充电器(20~65 W)等消费类电子辅助设备,其他应用还包括工业应用(如电机驱动)的宽输入(高达1400V)反激辅助电源,以及长LED串等高功率照明应用。

     

    UnitedSiC首席执行官Chris Dries表示:“随着这些新型SiC JFET的推出,UnitedSiC现在已经位?#21491;的?#25317;有最广泛SiC功率产品组合厂商之列,我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能JFET功能。”

     

    供货信息

    目前仅有UnitedSiC能够提供七种晶片可供选择,电压额定值为从650~1700V,RDS(ON)值低至140mΩ,晶片具备三种尺寸,可小至0.8 mm x 0.8mm,以便于实现共同封装。

     
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